| NTD CZ-Si708cm~(-1)、742cm~(-1)、776cm~(-1)中照缺陷红外吸收带特性 |
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| 引用本文： | 何秀坤,王琴,李光平. NTD CZ-Si708cm~(-1)、742cm~(-1)、776cm~(-1)中照缺陷红外吸收带特性[J]. 半导体学报, 1991, 12(1): 58-61 |
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| 作者姓名： | 何秀坤 王琴 李光平 |
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| 作者单位： | 天津电子材料研究所 天津300192(何秀坤，王琴)，天津电子材料研究所 天津300192(李光平) |
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| 摘 要： | 本文报道了NTD CZ-Si 708cm~(-1)、742cm~(-1)、776cm~(-1)中照缺陷红外吸收带退火特性和温度特性的研究结果.三个带产生的退火温度为350℃-550℃,500℃退火效应最明显,峰强达到最大值;10-95K变温测量峰位频移为零.10-60K时,峰强随温度升高而平缓增加,60K时达到最大值.在60-95K温区,峰强随温度升高而迅速下降,至100K时已全部消失.
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| 关 键 词： | 硅 红外吸收带 缺陷 中照 退火 |
Characteristic of Infrared Absorption Peaks at 708cm~(-1),742cm~(-1), 776cm~(-1)in NTD CZ-Si |
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| He Xiukun/Tianjin Electronic Material Research InstituteWang Qin/Tianjin Electronic Material Research InstituteLi Guangping/Tianjin Electronic Material Research Institute. Characteristic of Infrared Absorption Peaks at 708cm~(-1),742cm~(-1), 776cm~(-1)in NTD CZ-Si[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 1991, 12(1): 58-61 |
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| Authors: | He Xiukun/Tianjin Electronic Material Research InstituteWang Qin/Tianjin Electronic Material Research InstituteLi Guangping/Tianjin Electronic Material Research Institute |
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| Affiliation: | He Xiukun/Tianjin Electronic Material Research InstituteWang Qin/Tianjin Electronic Material Research InstituteLi Guangping/Tianjin Electronic Material Research Institute |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | NTD CZ-Si Defect Infrared absorption band Annealing characteristic Temperature characteristic |
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