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| 有序合金中FCC→HCP相变温度内出现的缺陷 | |
| 作者姓名： | 陈奇志 颜庆云 |
| 作者单位： | [1]北京科技大学材料物理系 [2]香港大学机械工程系 |
| 摘 要： | 利用ＴＥＭ的高温台原位观察了Ｆｅ３Ｇｅ的相在７８０℃（在７００℃以上Ｌ１２转变为ＤＯ１９）出现缺陷的过程。实验发现首先形核的是外禀层错，外禀层错比孤立的内禀层比孤立的内禀层错扩展得快，并且扩展得较宽，它们有可能长大成为ＤＯ１９相的核胚。 |
| 关 键 词： | Fe3Ge FCC HCP 外禀层错 有序合金 相变温度 |
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