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杂志ISSN号
有序合金中FCC→HCP相变温度内出现的缺陷
作者姓名:
陈奇志 颜庆云
作者单位:
[1]北京科技大学材料物理系 [2]香港大学机械工程系
摘 要:
利用TEM的高温台原位观察了Fe3Ge的相在780℃(在700℃以上L12转变为DO19)出现缺陷的过程。实验发现首先形核的是外禀层错,外禀层错比孤立的内禀层比孤立的内禀层错扩展得快,并且扩展得较宽,它们有可能长大成为DO19相的核胚。
关 键 词:
Fe3Ge FCC HCP 外禀层错 有序合金 相变温度
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