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Ce:Eu:SBN晶体的生长和全息存储性能研究
引用本文:刘彩霞,徐朝鹏,徐玉恒. Ce:Eu:SBN晶体的生长和全息存储性能研究[J]. 功能材料, 2004, 35(Z1): 3090-3092
作者姓名:刘彩霞  徐朝鹏  徐玉恒
作者单位:哈尔滨工业大学,理学院应用化学系,黑龙江,哈尔滨,150001
基金项目:国家973资助项目项目(G19990330);国家863计划资助项目(2001AA31304)
摘    要:在SBN中掺进0.1%(质量分数)CeO2和0.1%(质量分数)Eu2O3,以Czochralski技术生长CeEuSBN晶体,在空气中退火24h,退火温度为1300℃.测试CeEuSBN晶体的住相共轭反射率和响应时间.CeEuSBN晶体最大位相共轭反射率(R=92%)和响应时间(38s),以CeEuSBN晶体作为存储元件和位相共轭镜(阈值,增益反馈系统)进行全息关联存储实验.系统具有实时处理、反复使用、成像质量好、信噪比高等优点.CeEuSBN晶体是比SBN晶体全息存储性能更好的晶体.

关 键 词:Ce  EuSBN晶体  全息存储性能  位相共轭
文章编号:1001-9731(2004)增刊-3090-03
修稿时间:2004-03-20

Investigation on growth and holographic storage of Ce:Eu:SBN crystal
LIU Cai-xia,XU Zhao-peng,XU Yu-heng. Investigation on growth and holographic storage of Ce:Eu:SBN crystal[J]. Journal of Functional Materials, 2004, 35(Z1): 3090-3092
Authors:LIU Cai-xia  XU Zhao-peng  XU Yu-heng
Abstract:
Keywords:
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