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Zr对非晶Co-Si薄膜晶化和相变的影响
引用本文:吴海凤,程凡雄,董显平,吴建生.Zr对非晶Co-Si薄膜晶化和相变的影响[J].真空,2005,42(4):26-28.
作者姓名:吴海凤  程凡雄  董显平  吴建生
作者单位:上海交通大学材料科学与工程学院,高温材料高温测试教育部重点实验室,200030
基金项目:国家自然科学基金,上海市AM基金
摘    要:利用X射线衍射分析技术结合差示扫描量热仪,研究了Zr在Co-Si合金非晶薄膜晶化和相变过程中的作用.结果表明:溅射态非晶Co-Si薄膜和Co-Si-Zr薄膜在加热到950℃的过程中,均主要析出Co-Si和Co-Si2两种晶化相;Zr的加入增大了晶化激活能,抑制了晶化相的形核和长大,使薄膜能够在更高的温度范围保持稳定,但在高温800℃以上加热时,却使晶化相Co-Si向Co-Si2的转变加快.

关 键 词:钴硅薄膜  晶化  相变  微观结构  
文章编号:1002-0322(2005)04-0026-03

Influence of zirconium on crystallization and phase transformation of amorphous Co-Si thin films
WU Hai-feng,CHENG Fan-xiong,DONG Xian-ping,WU Jian-sheng.Influence of zirconium on crystallization and phase transformation of amorphous Co-Si thin films[J].Vacuum,2005,42(4):26-28.
Authors:WU Hai-feng  CHENG Fan-xiong  DONG Xian-ping  WU Jian-sheng
Abstract:
Keywords:Co-Si thin films  crystallization  phase transformation  microstructure  zirconium
本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录!
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