|
|||||
|
|
| 用椭偏谱法研究硅（111）表面的化学处理 | |
| 引用本文： | 张秀珠,苏毅.用椭偏谱法研究硅（111）表面的化学处理[J].上海轻工业高等专科学校学报,1995,16(3):7-12. |
| 作者姓名： | 张秀珠 苏毅 |
| 作者单位： | [1]上海轻工业学高等专科学校 [2]复旦大学 |
| 摘 要： | 用ＲＡＰ型椭圆偏振光谱仪对不同化学处理的硅（１１１）表面的赝介电函数虚部ε２进行测量。结果表明：赝介电函数虚部ε２的Ｅ１（３．４０ｅＶ）、Ｅ２（４．２２ｅＶ）临界点峰值，尤其是Ｅ２对硅表面状态非常敏感；对不同腐蚀都有一个最佳腐蚀时间；对ＨＦ缓冲溶液处理的硅（１１１）表面，其稳定性不仅和溶液的ＰＨ值有关，还和后处理方法有关。 |
| 关 键 词： | 赝介电函数 椭偏谱法 硅表面 化学处理 |
| 本文献已被 维普 等数据库收录！ | |