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受控电阻及其基于LDO零极点追踪频率补偿方案的应用
作者姓名:王忆  何乐年  宁志华  邵亚利
基金项目:浙江省重点科技计划资助项目 2007C21021
摘    要:本文利用工作在深度线形区的MOS管电阻和辅助电路设计了一个受控电阻。其中辅助电路为MOS电阻提供正比于LDO输出电流的栅源电压,从而使得MOS电阻的等效阻值反比于LDO的输出电流,这种反比关系非常适合零极点追踪的频率补偿方案。通过调整MOS电阻的类型和流过辅助电路中的电流方向,受控电阻可以应用于不同的电路结构。利用该受控电阻,本文提出了三种分别基于带去零电阻的米勒电容、单位增益补偿模块和伪ESR功率级电路结构的零极点追踪频率补偿方案。三个方案都通过了仿真验证,并对其优缺点进行比较和讨论。

关 键 词:受控电阻,零极点追踪,带去零电阻的米勒电容,单位增益补偿模块,伪ESR功率级电路
收稿时间:2009-02-09
修稿时间:2009-04-30
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