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单晶硅掺杂类型对化学镀Ni -P膜的影响
引用本文:麻华丽,张新月,杜银霄,陈雷明,茹意,张锐,曾凡光,刘波,刘凯,梁浩. 单晶硅掺杂类型对化学镀Ni -P膜的影响[J]. 功能材料与器件学报, 2011, 17(6): 564-568
作者姓名:麻华丽  张新月  杜银霄  陈雷明  茹意  张锐  曾凡光  刘波  刘凯  梁浩
作者单位:1. 郑州航空工业管理学院数理系,河南郑州,450015
2. 河南大学物理与电子学院,河南开封,475004
基金项目:国家自然科学基金项目,航空科学基金项目,河南省基础与前沿技术研究计划项目,河南省教育厅自然科学基金项目
摘    要:本文采用化学镀的方法分别在P型、N型Si(100)表面制备了Ni -P膜,通过扫描电镜(SEM)及电子能谱仪(EDS)分析考察了同种制备条件下,在不同基底上镀膜的表面形貌和不同基底对镀层组分的影响;并用原子力显微镜(AFM)对不同基底上镀膜的平整度进行了研究.结果发现两种基底上的镀膜形貌、元素含量及镀膜平整度明显不同,...

关 键 词:化学镀  N型Si  P型Si  Ni -P膜

Influence of dopant type in single crystal Si on the electroless plated Ni - P films
MA Hua-li,ZHANG Xin-yue,DU Yin-xiao,CHEN Lei-ming,RU Yi,ZHANG Rui,ZENG Fan-guang,LIU Bo,LIU Kai,LIANG Hao. Influence of dopant type in single crystal Si on the electroless plated Ni - P films[J]. Journal of Functional Materials and Devices, 2011, 17(6): 564-568
Authors:MA Hua-li  ZHANG Xin-yue  DU Yin-xiao  CHEN Lei-ming  RU Yi  ZHANG Rui  ZENG Fan-guang  LIU Bo  LIU Kai  LIANG Hao
Abstract:
Keywords:
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