| 氮化镓(GaN)阴极紫外微通道板光电倍增管 |
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| 引用本文： | 李慧蕊,申屠军,戴丽英,唐光华,钟伟俊,徐汉成,刘德林,杨杰.氮化镓(GaN)阴极紫外微通道板光电倍增管[J].固体电子学研究与进展,2011,31(6). |
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| 作者姓名： | 李慧蕊 申屠军 戴丽英 唐光华 钟伟俊 徐汉成 刘德林 杨杰 |
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| 作者单位： | 南京电子器件研究所,南京,210016 |
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| 摘 要： | <正>南京电子器件研究所近期研制成功的氮化镓(GaN)阴极紫外光电倍增管,采用MOCVD方式外延生长的蓝宝石/AlN/P-AlGaN异质外延结构作为阴极衬底材料,通过真空转移设备的高铝P型GaN材料微结构设计和工艺流通、透射式异质阴极材料生长、GaN外延片洁净处
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Ultraviolet Microchannel Plate Photomultiplier Tubes with GaN Photocathode |
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| LI Huirui,SHEN Tujun,DAI Liying,TANG Guanghua,ZHONG Weijun,XU Hancheng,LIU Delin,YANG Jie.Ultraviolet Microchannel Plate Photomultiplier Tubes with GaN Photocathode[J].Research & Progress of Solid State Electronics,2011,31(6). |
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| Authors: | LI Huirui SHEN Tujun DAI Liying TANG Guanghua ZHONG Weijun XU Hancheng LIU Delin YANG Jie |
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