| 氮化镓(GaN)阴极紫外微通道板光电倍增管 |
| |
| 引用本文： | 李慧蕊,申屠军,戴丽英,唐光华,钟伟俊,徐汉成,刘德林,杨杰. 氮化镓(GaN)阴极紫外微通道板光电倍增管[J]. 固体电子学研究与进展, 2011, 31(6) |
| |
| 作者姓名： | 李慧蕊 申屠军 戴丽英 唐光华 钟伟俊 徐汉成 刘德林 杨杰 |
| |
| 作者单位： | 南京电子器件研究所,南京,210016 |
| |
| 摘 要： | <正>南京电子器件研究所近期研制成功的氮化镓(GaN)阴极紫外光电倍增管,采用MOCVD方式外延生长的蓝宝石/AlN/P-AlGaN异质外延结构作为阴极衬底材料,通过真空转移设备的高铝P型GaN材料微结构设计和工艺流通、透射式异质阴极材料生长、GaN外延片洁净处
|
Ultraviolet Microchannel Plate Photomultiplier Tubes with GaN Photocathode |
| |
| LI Huirui,SHEN Tujun,DAI Liying,TANG Guanghua,ZHONG Weijun,XU Hancheng,LIU Delin,YANG Jie. Ultraviolet Microchannel Plate Photomultiplier Tubes with GaN Photocathode[J]. Research & Progress of Solid State Electronics, 2011, 31(6) |
| |
| Authors: | LI Huirui SHEN Tujun DAI Liying TANG Guanghua ZHONG Weijun XU Hancheng LIU Delin YANG Jie |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ |
|
