| 基于0.13μm工艺的8Mb相变存储器 |
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| 引用本文： | 蔡道林,陈后鹏,王倩,丁晟,富聪,陈一峰,宏潇,李喜,陈小刚,刘波,宋志棠,封松林.基于0.13μm工艺的8Mb相变存储器[J].固体电子学研究与进展,2011,31(6):601-605. |
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| 作者姓名： | 蔡道林 陈后鹏 王倩 丁晟 富聪 陈一峰 宏潇 李喜 陈小刚 刘波 宋志棠 封松林 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,纳米技术研究室,上海,200050 |
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| 基金项目： | 国家集成电路重大专项资助项目，国家重点基础研究发展计划资助项目，国家自然科学基金资助项目，上海市科委资助项目 |
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| 摘 要： | 采用0.13 μm工艺,4层金属布线,在标准CMOS技术的基础上增加3张掩膜制备了一款8 Mb相变存储器.1.2V的低压NMOS管作为单元选通器,单元大小为50 F2.外围电路采用3.3V工作电压的CMOS电路.Set和Reset操作电流分别为0.4 mA和2 mA.读出操作的电流为10 μA,芯片疲劳特性次数超过了1...
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| 关 键 词： | 相变存储器 互补型金属氧化物半导体电路 疲劳特性 |
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