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低温多段烧结、真空压力浸渗制备SiCp/Al电子封装材料
引用本文:胡盛青,万绍平,刘韵妍,舒阳会,谭春林,张刚.低温多段烧结、真空压力浸渗制备SiCp/Al电子封装材料[J].功能材料与器件学报,2011,17(6):620-624.
作者姓名:胡盛青  万绍平  刘韵妍  舒阳会  谭春林  张刚
作者单位:1. 湖南航天高新材料与装备技术研发中心,湖南长沙,410205
2. 湖南航天诚远精密机械有限公司,湖南长沙,410205
基金项目:湖南省长沙市科技计划重点项目
摘    要:选用W7与W63两种SiC粉末,采用高、低温粘结剂配合,模压成型,850℃空气气氛低温多段烧结,制备出体积分数为65.13%的SiC预制件,真空压力浸渗6063A1合金熔液,得到SiCp/A1复合材料.结果表明:复合材料XRD图谱中未出现明显的Al4C3界面相和SiO2杂相;致密度高;100℃时的热膨胀系数为7.592...

关 键 词:低温多段烧结  真空压力浸渗  SiCp/Al

SiCp/Al composites for electronic packaging prepared by low temperature with multi -step sintering and Vacuum Pressure Infiltration
HU Sheng-qing,WAN Shao-ping,LIU Yun-yan,SHU Yang-hui,TAN Chun-lin,ZHANG Gang.SiCp/Al composites for electronic packaging prepared by low temperature with multi -step sintering and Vacuum Pressure Infiltration[J].Journal of Functional Materials and Devices,2011,17(6):620-624.
Authors:HU Sheng-qing  WAN Shao-ping  LIU Yun-yan  SHU Yang-hui  TAN Chun-lin  ZHANG Gang
Abstract:
Keywords:
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