国外新器件研制和应用现状

当前，电力半导体器件的发展重点是采用新的原理，开发新的ＭＯＳ双极器件（ＩＧＢＴ和ＭＣＴ）和场控器件（ＳＩＴＨ）。本文介绍国外这几种器件的研制发展现状，以及这些器件的应用情况。