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聚酰亚胺/纳米有机硅薄膜结构与电性能研究
引用本文:李翠翠,李娟,陈昊,张辰威,范勇. 聚酰亚胺/纳米有机硅薄膜结构与电性能研究[J]. 绝缘材料, 2008, 41(1): 37-39,43
作者姓名:李翠翠  李娟  陈昊  张辰威  范勇
作者单位:哈尔滨理工大学,材料科学与工程学院,哈尔滨,150040;哈尔滨理工大学,材料科学与工程学院,哈尔滨,150040;哈尔滨理工大学,材料科学与工程学院,哈尔滨,150040;哈尔滨理工大学,材料科学与工程学院,哈尔滨,150040;哈尔滨理工大学,材料科学与工程学院,哈尔滨,150040
基金项目:国家自然科学基金资助项目(50373008),黑龙江省科技攻关项目(GC04A216)
摘    要:通过调整甲基三乙氧基硅烷和正硅酸乙酯的摩尔比,采用溶胶-凝胶法制备了纳米有机硅溶胶用于掺杂的聚酰亚胺(PI)薄膜。对薄膜的结构与电气强度,相对介电常数εr和介质损耗因数(tanδ)的关系进行了实验研究,并采用FT-IR,SEM表征了薄膜的化学结构和表面形貌。结果表明,随着纳米有机硅网络结构的变化,掺杂薄膜的击穿场强先下降后增加,大约在甲基三乙氧基硅烷和正硅酸乙酯的摩尔比为3∶5时出现极小值,在1 kHz的测试频率下,相对介电常数εr先增大后减小,相应的介质损耗因数(tanδ)逐渐降低。

关 键 词:聚酰亚胺  纳米有机硅  电性能
文章编号:1009-9239(2008)01-0037-04
收稿时间:2007-10-18
修稿时间:2007-11-30

Analysis on the Structure and Dielectric Property of Nano-organosilicon/PI Film
LI Cui-cui,LI Juan,CHEN Hao,ZHANG Chen-wei,FAN Yong. Analysis on the Structure and Dielectric Property of Nano-organosilicon/PI Film[J]. Insulating Materials, 2008, 41(1): 37-39,43
Authors:LI Cui-cui  LI Juan  CHEN Hao  ZHANG Chen-wei  FAN Yong
Abstract:
Keywords:polyimide  nano-organosilicon  electrical property
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