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试制成1.3 μm波段的多层量子阱型半导体激光器
引用本文:赵玉兰.试制成1.3 μm波段的多层量子阱型半导体激光器[J].激光与光电子学进展,1986,23(10):13.
作者姓名:赵玉兰
作者单位:赵玉兰:
摘    要:松下电器公司半导体研究中心研究出用液相外延法(LPE)在InP衬底上沉积5~6层厚100埃InGaAs薄膜的超薄膜形成技术,并利用这种技术制成1.3 μm波段MQW(多层量子阱)型半导体激光器,首次实现低阈值室温连续振荡。

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