| p型GaN的Ni/Au合金电极的I-V特性 |
| |
| 引用本文： | 王彦杰,杨子文,廖辉,胡成余,潘尧波,杨志坚,章蓓,张国义,胡晓东.p型GaN的Ni/Au合金电极的I-V特性[J].半导体学报,2007,28(Z1). |
| |
| 作者姓名： | 王彦杰 杨子文 廖辉 胡成余 潘尧波 杨志坚 章蓓 张国义 胡晓东 |
| |
| 作者单位： | 北京大学物理学院宽禁带半导体研究中心,北京,100871 |
| |
| 摘 要： | 运用传输线方法(TLM)测量了p型GaN合金后的Ni/Au电极的接触电阻率和电流-电压(I-V)关系,推导了合金的Ni/Au电极和p型GaN接触处的电流密度与电压(J-V)的关系.在考虑热发射机制和镜像力的基础上,通过对p型GaN的Ni/Au合金电极的I-V特性分析,进一步得出势垒高Φb=0.41eV,受主浓度Na=4×1019cm-3,能带弯曲Vi=0.26V,和EF-Ev:0.15eV.这些结果与理论值和其他实验结果符合得很好.
|
| 关 键 词： | p-GaN 传输线 镜像力 Ni/Au电极 |
Current-Voltage Characteristic of Alloyed Ni/Au on p-GaN |
| |
| Wang Yanjie,Yang Ziwen,Liao Hui,Hu Chengyu,Pan Yaobo,Yang Zhijian,Zhang Bei,Zhang Guoyi,Hu Xiaodong.Current-Voltage Characteristic of Alloyed Ni/Au on p-GaN[J].Chinese Journal of Semiconductors,2007,28(Z1). |
| |
| Authors: | Wang Yanjie Yang Ziwen Liao Hui Hu Chengyu Pan Yaobo Yang Zhijian Zhang Bei Zhang Guoyi Hu Xiaodong |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《半导体学报》下载全文 |
|
