| 利用混合极性制备多孔缓冲层及其在GaN厚膜外延中的应用 |
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| 引用本文： | 尹志军,钟飞,邱凯,李新化,王玉琦.利用混合极性制备多孔缓冲层及其在GaN厚膜外延中的应用[J].半导体学报,2007,28(6). |
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| 作者姓名： | 尹志军 钟飞 邱凯 李新化 王玉琦 |
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| 作者单位： | 中国科学院材料物理重点实验室,合肥,230031 |
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| 摘 要： | 使用分子束外延(MBE)技术在(0001)面蓝宝石衬底上生长混合极性的氮化镓(GaN)薄膜,利用不同极性面的GaN薄膜在强碱溶液中腐蚀特性的差异,混和极性样品经腐蚀处理后,得到了一层具有多孔结构的GaN层.以多孔结构的GaN作为缓冲层,用卤化物气相外延(HVPE)方法生长GaN厚膜.X射线双晶衍射和光致发光等测试结果表明,多孔结构的GaN缓冲层可以有效地释放GaN厚膜和衬底之间因热膨胀系数失配产生的应力,使GaN厚膜晶体的质量得到很大提高.
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| 关 键 词： | GaN 极性 多孔 应力释放 |
Growth of Thick GaN Films on Mixed-Polarity Buffer by Halide Vapor Phase Epitaxy |
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| Yin Zhijun,Zhong Fei,Qiu Kai,Li Xinhua,Wang Yuqi.Growth of Thick GaN Films on Mixed-Polarity Buffer by Halide Vapor Phase Epitaxy[J].Chinese Journal of Semiconductors,2007,28(6). |
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| Authors: | Yin Zhijun Zhong Fei Qiu Kai Li Xinhua Wang Yuqi |
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