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| 籽晶分步包膜法掺杂改进ZnO的压敏电阻特性 | |
| 引用本文： | 王玉平,李盛涛,张明才. 籽晶分步包膜法掺杂改进ZnO的压敏电阻特性[J]. 半导体学报, 2007, 28(Z1) |
| 作者姓名： | 王玉平 李盛涛 张明才 |
| 作者单位： | 1. 西安电瓷研究所,西安,710077;西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室,西安,710049 2. 西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室,西安,710049 3. 西安电力机械制造公司,西安,710077 |
| 摘 要： | 通过籽晶分步包膜法ZnO复合掺杂物制备技术的研究,以及与其他三种不同工艺方法处理ZnO压敏电阻片掺杂物复合粉体的对比,特别是在复合掺杂物性能、混合浆料性能、喷雾造粒性能、电气性能和显微结构等方面的对比,得出籽晶分步包膜沉淀可以获得离子级混合均匀的ZnO复合掺杂物,经过喷雾造粒提高成型性能.最终,使ZnO压敏电阻片电位梯度和能量吸收能力得到了显著提高,分别达到2.6kV/cm和270J/cm3. |
| 关 键 词： | ZnO压敏电阻片 籽晶分步包膜沉淀 电位梯度 能量吸收能力 |
Property of ZnO Varistors Prepared by Fractional Precipitation on Seed Materials |
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| Wang Yuping,Li Shengtao,Zhang Mingcai. Property of ZnO Varistors Prepared by Fractional Precipitation on Seed Materials[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2007, 28(Z1) | |
| Authors: | Wang Yuping Li Shengtao Zhang Mingcai |
| Abstract: | |
| Keywords: | |
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