| PbSe外延薄膜空穴迁移率及其声子散射机理 |
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| 引用本文： | 斯剑霄,吴惠桢,徐天宁,曹春芳. PbSe外延薄膜空穴迁移率及其声子散射机理[J]. 半导体学报, 2007, 28(Z1) |
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| 作者姓名： | 斯剑霄 吴惠桢 徐天宁 曹春芳 |
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| 作者单位： | 1. 浙江大学物理系,硅材料国家重点实验室,杭州,310027;浙江师范大学数理信息学院,金华,321004
2. 浙江大学物理系,硅材料国家重点实验室,杭州,310027 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，高等学校博士学科点专项科研项目 |
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| 摘 要： | 采用分子束外延技术生长了非人为掺杂的PbSe单晶薄膜,研究了薄膜中声子散射对空穴迁移率的影响.并用霍尔效应和变温电阻率测量方法分析了电学特性,得到PbSe薄膜均具有P型导电性,载流子浓度为(5～8)×1017cm-3,室温空穴迁移率为～300cm2/(V·s),随温度降低迁移率增大,77K温度下的迁移率达到3×10cm2/(V·s).通过对PbSe薄膜中的载流子散射机理的理论分析,表明在77～295K温度范围内,PbSe的长纵光学波散射是影响载流子迁移率的主要机制.同时,Raman光谱测量显示,在温度≥203K时,不仅观察到了PbSe长纵光学声子散射LO(Г),还观察到了其他光学声子的散射,这些观察到的声子散射影响了PbSe的空穴迁移率.
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| 关 键 词： | PbSe薄膜 迁移率 光学波散射 |
Mobility and Phonon Scattering in Epitaxial PbSe Films |
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| Si Jianxiao,Wu Huizhen,Xu Tianning,Cao Chunfang. Mobility and Phonon Scattering in Epitaxial PbSe Films[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2007, 28(Z1) |
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| Authors: | Si Jianxiao Wu Huizhen Xu Tianning Cao Chunfang |
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