| Ag掺杂ZnO的第一性原理计算 |
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| 引用本文： | 万齐欣,熊志华,饶建平,戴江南,乐淑萍,王古平,江风益.Ag掺杂ZnO的第一性原理计算[J].半导体学报,2007,28(5). |
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| 作者姓名： | 万齐欣 熊志华 饶建平 戴江南 乐淑萍 王古平 江风益 |
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| 作者单位： | 南昌大学材料科学研究所,教育部发光材料与器件工程研究中心,南昌,330047 |
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| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863计划)，电子信息产业发展基金 |
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| 摘 要： | 采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势法对Ag掺杂ZnO的几何结构、杂质形成能和电子结构进行了比较系统的研究.研究表明,掺Ag导致晶格膨胀;在ZnO晶格中,杂质Ag最可能以替代Zn位出现,此时将形成一个深受主能级.文中的计算结果与其他研究者的实验结果相吻合.
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| 关 键 词： | ZnO Ag 第一性原理 电子结构 |
First-Principles Calculation of ZnO Doped with Ag |
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| Wan Qixin,Xiong Zhihua,Rao Jianping,Dai Jiangnan,Le Shuping,Wang Guping,Jiang Fengyi.First-Principles Calculation of ZnO Doped with Ag[J].Chinese Journal of Semiconductors,2007,28(5). |
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| Authors: | Wan Qixin Xiong Zhihua Rao Jianping Dai Jiangnan Le Shuping Wang Guping Jiang Fengyi |
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