| GaN基功率型LED可靠性分析 |
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| 引用本文： | 陈宇,王良臣,伊晓燕,王立彬,刘志强,马龙,严丽红. GaN基功率型LED可靠性分析[J]. 半导体学报, 2007, 28(Z1) |
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| 作者姓名： | 陈宇 王良臣 伊晓燕 王立彬 刘志强 马龙 严丽红 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所,集成技术中心,北京,100083 |
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| 摘 要： | 以GaN基蓝光芯片为基础制备了功率型蓝光和白光LED,在室温25℃、湿度35%、驱动电流350mA、连续老化1080h下,功率型蓝光和白光LED光衰随时间呈指数变化,分别平均衰减1.35%和2.56%;对LED的失效机理分析表明,GaN基外延材料质量、芯片的结构设计、p型电极的欧姆接触稳定性等均对LED可靠性有重要的影响.
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| 关 键 词： | GaN 功率型LED 老化实验 退化机理 可靠性 |
Analyses in Reliability of GaN-Based High Power Light Emitting Diodes |
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| Chen Yu,Wang Liangchen,Yi Xiaoyan,Wang Libin,Liu Zhiqiang,Ma Long,Yan Lihong. Analyses in Reliability of GaN-Based High Power Light Emitting Diodes[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2007, 28(Z1) |
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| Authors: | Chen Yu Wang Liangchen Yi Xiaoyan Wang Libin Liu Zhiqiang Ma Long Yan Lihong |
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