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| 透明导电CdIn2O4薄膜的结构和Seebeck效应 | |
| 引用本文： | 杨丰帆,方亮,李丽,付光宗,张勇,李明伟,喻江涛. 透明导电CdIn2O4薄膜的结构和Seebeck效应[J]. 半导体学报, 2007, 28(Z1) |
| 作者姓名： | 杨丰帆 方亮 李丽 付光宗 张勇 李明伟 喻江涛 |
| 作者单位： | 1. 重庆大学应用物理系,重庆,400044;中国兵器工业集团第五十三研究所,济南,250031 2. 重庆大学应用物理系,重庆,400044 3. 重庆大学动力工程学院,重庆,400044 |
| 基金项目： | 重庆市科技攻关项目，教育部跨世纪优秀人才培养计划，国防科技预研项目 |
| 摘 要： | 在Ar和O2混合气氛中,利用直流反应磁控溅射Cd-In合金靶制备了CdIn2O4(简称CIO)薄膜,利用AFM和XRD技术表征了薄膜的形貌和组成,用XPS分析了薄膜的化学成分和元素价态,并在室温下测量了CIO薄膜的Seebeck效应以及加入磁场后的Seebeck效应.实验结果表明:CIO薄膜是多晶薄膜,其表面粗糙度为1.60～2.60nm,晶粒大小为13～36nm,晶界清晰.它由CIO相和In2O3相组成,部分样品还含有微量的CdO相,退火处理后氧缺乏状态和氧充足状态的面积比由退火前的0.69增加到0.71,薄膜的导电性能得到提高.CIO薄膜具有非常明显的Seebeck效应,温差电动势随温差的增加而线性增加,温差电动势率随着电阻的增加而减小;加入磁场后,薄膜的温差电动势率变小.文章对制备条件和结构的关系以及Seebeck效应和加入磁场后的Seebeck效应的机理作了详细探讨. |
| 关 键 词： | 透明导电CdIn2O4薄膜 结构 Seebeck效应 温差电动势率 |
Structure and Seebeck Effect for Transparent and Conductive CdIn2O4 Thin Film |
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| Yang Fengfan,Fang Liang,Li Li,Fu Guangzong,Zhang Yong,Li Mingwei,Yu Jiangtao. Structure and Seebeck Effect for Transparent and Conductive CdIn2O4 Thin Film[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2007, 28(Z1) | |
| Authors: | Yang Fengfan Fang Liang Li Li Fu Guangzong Zhang Yong Li Mingwei Yu Jiangtao |
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