| 感应耦合等离子体刻蚀机二维放电模拟 |
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| 引用本文： | 程嘉,朱煜,汪劲松.感应耦合等离子体刻蚀机二维放电模拟[J].半导体学报,2007,28(6). |
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| 作者姓名： | 程嘉 朱煜 汪劲松 |
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| 作者单位： | 清华大学精密仪器与机械学系,制造工程研究所,北京,100084 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划) |
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| 摘 要： | 为研究感应耦合等离子体(ICP)刻蚀机腔室与线圈结构以及工艺参数对等离子体分布均匀性的影响,基于商业软件CFD-ACE+中等离子体与电磁场等模块建立了ICP刻蚀机二维放电模型.仿真研究了典型工艺条件(1.33Pa,200W,200sccm)下氩等离子体电子温度与电子数密度的空间分布,对比了不同气压与功率条件下等离子体参数在硅片表面的一维分布.结果表明,电子数密度随气压与功率的增加而升高;电子温度随气压的增加而降低,随功率增加在较小范围内先降低再升高.通过分析屏蔽板对等离子体参数的影响,发现其有助于提高等离子体密度.进而发现屏蔽板的孔隙率越大,电子温度越高,电子数密度则越低.
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| 关 键 词： | 干法腐蚀工艺 感应耦合等离子体 电子数密度 电子温度 |
Two-Dimensional Discharge Simulation of Inductively Coupled Plasma Etcher |
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| Cheng Jia,Zhu Yu,Wang Jinsong.Two-Dimensional Discharge Simulation of Inductively Coupled Plasma Etcher[J].Chinese Journal of Semiconductors,2007,28(6). |
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| Authors: | Cheng Jia Zhu Yu Wang Jinsong |
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| Keywords: | |
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