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| p+ -InP/n-InGaAs/n-InP双异质结结构的微波反射光电导衰减法表征及机理分析 | |
| 引用本文： | 吴小利,王妮丽,张可峰,唐恒敬,黄翌敏,韩冰,李雪,龚海梅.p+ -InP/n-InGaAs/n-InP双异质结结构的微波反射光电导衰减法表征及机理分析[J].半导体学报,2007,28(11). |
| 作者姓名： | 吴小利 王妮丽 张可峰 唐恒敬 黄翌敏 韩冰 李雪 龚海梅 |
| 作者单位： | 中国科学院上海技术物理研究所,上海,200083;中国科学院研究生院,北京,100049;中国科学院上海技术物理研究所,上海,200083 |
| 摘 要： | 采用微波反射光电导衰减法测量了P+ -InP/n-InGaAs/n-InP双异质结材料的非平衡载流子寿命分布,通过对非平衡载流子浓度在P+n结中衰减过程的分析,建立了在此结构材料中微波反射光电导衰退法测试少子寿命与器件参数之间的联系,并且解释了寿命测试值随温度降低而减小的反常行为. |
| 关 键 词： | 铟镓砷 双异质结 微波反射 光电导衰退 |
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