| 一维硅氧线的水热法制备及光致发光 |
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| 引用本文： | 李小祥,唐元洪,林良武,李甲林. 一维硅氧线的水热法制备及光致发光[J]. 半导体学报, 2007, 28(7) |
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| 作者姓名： | 李小祥 唐元洪 林良武 李甲林 |
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| 作者单位： | 湖南大学材料科学与工程学院,长沙,410082 |
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| 基金项目： | 教育部跨世纪优秀人才培养计划 |
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| 摘 要： | 以SiO粉末为原料,采用水热法成功地制备出一维纳米硅氧线,并通过扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)观察该一维硅氧线的形貌,可知其直径为100～200 nm,长度可以达到几十微米.X射线能谱仪(EDS)定量分析了该一维材料的成分,表明该纳米线由硅和氧两种元素组成.荧光光谱法测试了硅氧线的发光光谱,表明在426和446nm处有较强的发光.通过不同条件下的对比实验得到制备该纳米线的最佳条件,同时根据实验结果提出了该方法制备硅氧线的生长机理.
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| 关 键 词： | 水热法 硅氧线 PL光谱 生长机理 |
Preparation of SiOx Nanowires by Hydrothermal Method and Their Photoluminescence |
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| Li Xiaoxiang,Tang Yuanhong,Lin Liangwu,Li Jialin. Preparation of SiOx Nanowires by Hydrothermal Method and Their Photoluminescence[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2007, 28(7) |
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| Authors: | Li Xiaoxiang Tang Yuanhong Lin Liangwu Li Jialin |
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