| SiC衬底上SiCGe外延薄膜的结构 |
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| 引用本文： | 李连碧,陈治明,蒲红斌,林涛,李佳,陈春兰,李青民.SiC衬底上SiCGe外延薄膜的结构[J].半导体学报,2007,28(Z1). |
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| 作者姓名： | 李连碧 陈治明 蒲红斌 林涛 李佳 陈春兰 李青民 |
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| 作者单位： | 西安理工大学电子工程系,西安,710048 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，高等学校博士学科点专项科研项目 |
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| 摘 要： | 用热壁CVD法在6H-SiC衬底上生长了SiCGe三元合金,样品生长呈现出显著的岛状特征.利用SEM,TEM,EDS和PL等分析手段对薄膜进行了特性研究.发现样品包含两种特征相,由随机分布的球形岛和岛周围较平坦的背景区域组成.EDS结果表明两相组分不同:球形岛为高Ge区,组分比大于30%;背景区域Ge含量则低于1%.两种相的生长速率也不相同,在生长时间相同的情况下,背景区较薄,且满布三角形堆垛层错.样品的PL峰位于2.2和2.7eV处.分析认为,这两个峰分别来自球形岛和背景区域的带间辐射复合.
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| 关 键 词： | SiC SiCGe 岛状生长 LPCVD |
Structural Analysis of the SiCGe Epitaxial Layer Grown on SiC Substrate |
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| Li Lianbi,Chen Zhiming,Pu Hongbin,Lin Tao,Li Jia,Chen Chunlan,Li Qingmin.Structural Analysis of the SiCGe Epitaxial Layer Grown on SiC Substrate[J].Chinese Journal of Semiconductors,2007,28(Z1). |
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| Authors: | Li Lianbi Chen Zhiming Pu Hongbin Lin Tao Li Jia Chen Chunlan Li Qingmin |
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