| 带p埋层表面注入硅基LDMOS模型与优化 |
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| 引用本文： | 李琦,张波,李肇基.带p埋层表面注入硅基LDMOS模型与优化[J].半导体学报,2007,28(8). |
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| 作者姓名： | 李琦 张波 李肇基 |
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| 作者单位： | 电子科技大学IC设计中心,成都,610054 |
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| 摘 要： | 提出一种带p埋层的表面注入硅基LDMOS高压器件新结构,称为BSI LDMOS(surface implanted LDMOS with p buried layer).通过表面注入n+薄层降低导通电阻,p埋层不但改善横向表面电场分布,提高击穿电压,而且增大漂移区优化浓度.求解电势的二维Poisson方程,获得表面电场和击穿电压的解析式,研究结构参数对表面电场和击穿电压的影响,数值与解析结果吻合较好.结果表明:与常规结构相比较,BSI LDMOS大大改善了击穿电压和导通电阻的折衷关系.
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| 关 键 词： | p埋层 表面注入 表面电场 击穿电压 模型 |
Analytical Model and Optimization of Bulk-Silicon Surface Implanted LDMOS with p Buried Layer |
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| Li Qi,Zhang Bo,Li Zhaoji.Analytical Model and Optimization of Bulk-Silicon Surface Implanted LDMOS with p Buried Layer[J].Chinese Journal of Semiconductors,2007,28(8). |
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| Authors: | Li Qi Zhang Bo Li Zhaoji |
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| Keywords: | |
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