| 半绝缘6H-SiC单晶的生长 |
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| 引用本文： | 宁丽娜,胡小波,陈秀芳,李娟,王英民,姜守振,徐现刚. 半绝缘6H-SiC单晶的生长[J]. 半导体学报, 2007, 28(Z1) |
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| 作者姓名： | 宁丽娜 胡小波 陈秀芳 李娟 王英民 姜守振 徐现刚 |
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| 作者单位： | 山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，国家高技术研究发展计划(863计划)，教育部跨世纪优秀人才培养计划 |
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| 摘 要： | 用升华法生长出了电阻率高达1010Ω·cm的半绝缘6H-SiC体块晶体.用二次离子质谱(secondary ion mass spectrometry,SIMS)、辉光放电质谱(glow discharge mass spectroscopy,GDMS)测量了晶体和原料中的杂质浓度,包括硼、铝、钒.结果表明,钒的浓度会影响生长晶体的质量.分别用Pt和In做电极测试样品电阻率特性,发现不同的电极对测试结果有较大影响.
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| 关 键 词： | 半绝缘 碳化硅 升华法 |
Growth of Vanadium Doped Semi-Insulating 6H-SiC |
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| Ning Lina,Hu Xiaobo,Chen Xiufang,Li Juan,Wang Yingmin,Jiang Shouzhen,Xu Xiangang. Growth of Vanadium Doped Semi-Insulating 6H-SiC[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2007, 28(Z1) |
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| Authors: | Ning Lina Hu Xiaobo Chen Xiufang Li Juan Wang Yingmin Jiang Shouzhen Xu Xiangang |
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