| 等离子体刻蚀凹栅槽影响AlGaN/GaN HEMT栅电流的机理 |
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| 引用本文： | 李诚瞻,庞磊,刘新宇,黄俊,刘键,郑英奎,和致经.等离子体刻蚀凹栅槽影响AlGaN/GaN HEMT栅电流的机理[J].半导体学报,2007,28(11). |
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| 作者姓名： | 李诚瞻 庞磊 刘新宇 黄俊 刘键 郑英奎 和致经 |
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| 作者单位： | 中国科学院微电子研究所,北京,100029 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划)，中国科学院知识创新工程项目 |
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| 摘 要： | 对等离子体干法刻蚀形成的凹栅槽结构AlGaN/GaN HEMTs肖特基电流增加的机理进行了研究.实验表明,凹栅槽结构AIGaN/GaN HEMTs肖特基栅电流增加一个数量级以上,击穿电压有一定程度的下降.利用AFM和XPS的方法分析AlGaN表面,等离子体干法刻蚀增加了AlGaN表面粗糙度,甚至出现部分尖峰状突起,增大了栅金属与AlGaN的接触面积;另一方面,等离子体轰击使AlGaN表面出现一定量的N空位,相当于栅金属与AlGaN接触界面处出现n型掺杂层,使肖特基结的隧道效应加强,降低了肖特基势垒.由此表明,AlGaN表面粗糙度的增加以及一定量的N空位出现是引起栅电流急剧增大的根本原因.
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| 关 键 词： | 等离子体刻蚀 凹栅槽 栅电流 N空位 |
Effect of Plasma Dry Etching on Gate Leakage of Recessed AlGaN/GaN HEMTs |
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| Li Chengzhan,Pang Lei,Liu Xinyu,Huang Jun,Liu Jian,Zheng Yingkui,He Zhijing.Effect of Plasma Dry Etching on Gate Leakage of Recessed AlGaN/GaN HEMTs[J].Chinese Journal of Semiconductors,2007,28(11). |
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| Authors: | Li Chengzhan Pang Lei Liu Xinyu Huang Jun Liu Jian Zheng Yingkui He Zhijing |
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