| 纳米非晶硅薄膜的界面发光特性 |
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| 引用本文： | 傅广生,张江勇,丁文革,吕雪芹,于威.纳米非晶硅薄膜的界面发光特性[J].半导体学报,2007,28(Z1). |
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| 作者姓名： | 傅广生 张江勇 丁文革 吕雪芹 于威 |
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| 作者单位： | 河北大学物理科学与技术学院,保定,071002 |
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| 摘 要： | 采用螺旋波等离子体增强化学气相沉积(HWP-CVD)技术沉积了不同氢稀释比的富硅氢化非晶氮化硅(a-SiNx:H)薄膜,并利用光致发光(PL)和光致发光激发(PLE)谱技术对其发光特性进行了研究.结果显示,所有样品发光均表现为两个带的叠加:一个发光带随氢稀释比增大而发生蓝移,另一个发光带则固定在2.9eV左右.前者关联于镶嵌在a-SiNx:H基质内非晶纳米硅颗粒的界面发光,后者来源于a-SiNx:H基质相关的局域态中电子和空穴对的辐射复合.并结合所沉积薄膜的吸收特性,分析了缺陷态和界面态对薄膜中非晶纳米硅界面发光特性的影响.
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| 关 键 词： | 纳米非晶硅 PL PLE 吸收谱 界面发光 |
Analysis of Interface Luminescence in Nano-Sized Amorphous Silicon |
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| Fu Guangsheng,Zhang Jiangyong,Ding Wenge,Lü Xueqin,Yu Wei.Analysis of Interface Luminescence in Nano-Sized Amorphous Silicon[J].Chinese Journal of Semiconductors,2007,28(Z1). |
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| Authors: | Fu Guangsheng Zhang Jiangyong Ding Wenge Lü Xueqin Yu Wei |
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