| 氧含量对RF磁控溅射ZnO薄膜结构特性的影响 |
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| 引用本文： | 马晓翠,柳文军,朱德亮,曹培江,江宗章,萧活杰. 氧含量对RF磁控溅射ZnO薄膜结构特性的影响[J]. 半导体学报, 2007, 28(Z1) |
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| 作者姓名： | 马晓翠 柳文军 朱德亮 曹培江 江宗章 萧活杰 |
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| 作者单位： | 1. 深圳大学材料学院,深圳,518060;深圳市特种功能材料重点实验室,深圳,518060
2. 深圳大学材料学院,深圳,518060 |
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| 基金项目： | 深圳市科学和技术基金，广东省自然科学基金 |
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| 摘 要： | 采用射频(RF)磁控溅射的方法,通过改变工作气氛中氩气和氧气的比例,在Si(100)衬底上沉积出具有高度C轴择优取向的ZnO薄膜.实验发现随着O2/(Ar+O2)比的增加,薄膜的沉积速率下降.O2/(Ar+O2)比对薄膜结晶状态有明显影响,O2/(Ar+O2)比约为0.45,薄膜结晶质量较好.
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| 关 键 词： | ZnO薄膜 射频磁控溅射 O2/(Ar+P2)比 XRD分析 |
Effects of Oxygen Content on the Crystal Quality of ZnO Films Grown on Si by RF-Magnetron Sputtering |
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| Ma Xiaocui,Liu Wenjun,Zhu Deliang,Cao Peijiang,Jiang Zongzhang,Xiao Huojie. Effects of Oxygen Content on the Crystal Quality of ZnO Films Grown on Si by RF-Magnetron Sputtering[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2007, 28(Z1) |
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| Authors: | Ma Xiaocui Liu Wenjun Zhu Deliang Cao Peijiang Jiang Zongzhang Xiao Huojie |
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