| 单片集成0.8μm栅长GaAs基InGaP/AlGaAs/InGaAs增强/耗尽型赝配高电子迁移率晶体管 |
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| 引用本文： | 徐静波,张海英,尹军舰,刘亮,李潇,叶甜春,黎明.单片集成0.8μm栅长GaAs基InGaP/AlGaAs/InGaAs增强/耗尽型赝配高电子迁移率晶体管[J].半导体学报,2007,28(9). |
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| 作者姓名： | 徐静波 张海英 尹军舰 刘亮 李潇 叶甜春 黎明 |
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| 作者单位： | 1. 中国科学院微电子研究所,北京,100029
2. 中国科学院微电子研究所,北京,100029;四川大学物理科学与技术学院,成都,610064 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，国家重点基础研究发展计划(973计划) |
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| 摘 要： | 优化了GaAs基InGaP/AlGaAs/InGaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)的外延结构,有利于获得增强型PHEMT的正向阈值电压.采用光学接触式光刻方式,实现了单片集成0.8μm栅长GaAs基InGaP/AlGaAs/InGaAs增强/耗尽型PHEMT.直流和高频测试结果显示:增强型(耗尽型)PHEMT的阈值电压、非本征跨导、最大饱和漏电流密度、电流增益截止频率、最高振荡频率分别为0.1V(-0.5V),330mS/mm(260mS/mm),245mA/mm(255mA/mm),14.9GHz(14.5GHz)和18GHz(20GHz).利用单片集成增强/耗尽型PHEMT实现了直接耦合场效应晶体管逻辑反相器,电源电压为1V,输入0.15V电压时,输出电压为0.98V;输入0.3V电压时,输出电压为0.18V.
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| 关 键 词： | 单片集成 增强型 耗尽型 赝配高电子迁移率晶体管 阈值电压 |
Monolithic Integration of 0.8μm Gate-Length GaAs-Based InGaP/AlGaAs/ InGaAs Enhancement- and Depletion-Mode PHEMTs |
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| Xu Jingbo,Zhang Haiying,Yin Junjian,Liu Liang,Li Xiao,Ye Tianchun,Li Ming.Monolithic Integration of 0.8μm Gate-Length GaAs-Based InGaP/AlGaAs/ InGaAs Enhancement- and Depletion-Mode PHEMTs[J].Chinese Journal of Semiconductors,2007,28(9). |
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| Authors: | Xu Jingbo Zhang Haiying Yin Junjian Liu Liang Li Xiao Ye Tianchun Li Ming |
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