| 应变硅薄膜的厚度对材料迁移率的影响 |
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| 引用本文： | 王琦,王荣华,夏冬梅,郑有炓,韩平,俞慧强,梅琴,谢自力,修向前,朱顺明,顾书林,施毅,张荣.应变硅薄膜的厚度对材料迁移率的影响[J].半导体学报,2007,28(Z1). |
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| 作者姓名： | 王琦 王荣华 夏冬梅 郑有炓 韩平 俞慧强 梅琴 谢自力 修向前 朱顺明 顾书林 施毅 张荣 |
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| 作者单位： | 南京大学物理学系,江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京,210093 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划)，国家高技术研究发展计划(863计划)，国家自然科学基金，教育部高等学校博士学科点专项科研基金，国家重点实验室基金 |
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| 摘 要： | 用化学气相沉积方法在SiC/Si上外延生长了应变硅薄膜.扫描电子显微镜方法显示所得样品具有明显的Si/SiC/Si三层结构,喇曼散射光谱和X射线衍射测量结果表明外延的Si薄膜存在应变.Hall效应测量证明相比于相同浓度的体Si材料应变Si薄膜具有较高的霍尔迁移率;但随着应变硅层厚度的增加,霍尔迁移率下降,这应与薄膜中应变减小和失配位错有关.
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| 关 键 词： | 应变Si SiC 化学气相沉积 霍尔迁移率 |
Effect of the Thickness of the Strained Si on Hall Mobility |
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| Wang Qi,Wang Ronghua,Xia Dongmei,Zheng Youdou,Han Ping,Yu Huiqiang,Mei Qin,Xie Zili,Xiu Xiangqian,Zhu Shunming,Gu Shulin,Shi Yi,Zhang Rong.Effect of the Thickness of the Strained Si on Hall Mobility[J].Chinese Journal of Semiconductors,2007,28(Z1). |
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| Authors: | Wang Qi Wang Ronghua Xia Dongmei Zheng Youdou Han Ping Yu Huiqiang Mei Qin Xie Zili Xiu Xiangqian Zhu Shunming Gu Shulin Shi Yi Zhang Rong |
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