| 4H-SiC MESFET器件工艺 |
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| 引用本文： | 陈刚,柏松,张涛,汪浩,李哲洋,蒋幼泉.4H-SiC MESFET器件工艺[J].半导体学报,2007,28(Z1). |
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| 作者姓名： | 陈刚 柏松 张涛 汪浩 李哲洋 蒋幼泉 |
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| 作者单位： | 南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家重点实验室,南京,210016 |
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| 摘 要： | 介绍了制作4H-SiC MESFET器件的关键工艺.通过改进工艺,采用半绝缘衬底的国产SiC三层外延片,制造出总栅宽为1mm,2GHz连续波下输出功率大于4W,小信号增益大于10dB的SiC MESFET.
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| 关 键 词： | 4H-SiC 金属半导体场效应管 微波 宽禁带半导体 |
4H-SiC MESFET Device Process |
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| Chen Gang,Bai Song,Zhang Tao,Wang Hao,Li Zheyang,Jiang Youquan.4H-SiC MESFET Device Process[J].Chinese Journal of Semiconductors,2007,28(Z1). |
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| Authors: | Chen Gang Bai Song Zhang Tao Wang Hao Li Zheyang Jiang Youquan |
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