| SiC外延工艺中的气体流体模型 |
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| 引用本文： | 贾仁需,张义门,张玉明,郭辉. SiC外延工艺中的气体流体模型[J]. 半导体学报, 2007, 28(Z1) |
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| 作者姓名： | 贾仁需 张义门 张玉明 郭辉 |
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| 作者单位： | 西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安,710071 |
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| 摘 要： | 构建了热壁CVD法生长α-SiC外延的气体流体力学模型,并通过COMSOL模拟软件计算对基座的几何形状进行设计.结果表明基座的几何形状改变,影响衬底表面的气流分布;基座有一定的倾斜角度,可以使其表面气流分布均匀,有利于得到高质量的α-SiC外延片.
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| 关 键 词： | SiC 基座 流体模型 COMSOL |
Gas Fluid Modeling of SiC Epitaxial Growth in Chemical Vapor Deposition Processes |
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| Jia Renxu,Zhang Yimen,Zhang Yuming,Guo Hui. Gas Fluid Modeling of SiC Epitaxial Growth in Chemical Vapor Deposition Processes[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2007, 28(Z1) |
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| Authors: | Jia Renxu Zhang Yimen Zhang Yuming Guo Hui |
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