| Si/CdTe复合衬底HgCdTe液相外延材料的生长与性能分析 |
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| 引用本文： | 徐庆庆,陈新强,魏彦锋,杨建荣,陈路.Si/CdTe复合衬底HgCdTe液相外延材料的生长与性能分析[J].半导体学报,2007,28(7). |
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| 作者姓名： | 徐庆庆 陈新强 魏彦锋 杨建荣 陈路 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海技术物理研究所,上海,200083 |
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| 摘 要： | 通过改进推舟液相外延技术,成功地在(211)晶向Si/CdTe复合衬底上进行了HgCdTe液相外延生长,获得了表面光亮的HgCdTe外延薄膜.测试结果表明,(211)Si/CdTe复合衬底液相外延HgCdTe材料组分及厚度的均匀性与常规(111)CdZnTe衬底HgCdTe外延材料相当;位错腐蚀坑平均密度为(5～8)×105 cm-2,比相同衬底上分子束外延材料的平均位错密度要低一个数量级;晶体的双晶半峰宽达到70″左右.研究结果表明,在发展需要低位错密度的大面积长波HgCdTe外延材料制备技术方面,Si/CdTe复合衬底HgCdTe液相外延技术可发挥重要的作用.
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| 关 键 词： | Si/CdTe复合衬底 HgCdTe 液相外延 |
LPE Growth and Characterization of HgCdTe on Si Based Substrate |
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| Xu Qingqing,Chen Xinqiang,Wei Yanfeng,Yang Jianrong,Chen Lu.LPE Growth and Characterization of HgCdTe on Si Based Substrate[J].Chinese Journal of Semiconductors,2007,28(7). |
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| Authors: | Xu Qingqing Chen Xinqiang Wei Yanfeng Yang Jianrong Chen Lu |
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