| 重碳掺杂p型GaAsSb的GSMBE生长及其特性 |
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| 引用本文： | 孙浩,齐鸣,徐安怀,艾立鹍,朱福英.重碳掺杂p型GaAsSb的GSMBE生长及其特性[J].半导体学报,2007,28(11). |
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| 作者姓名： | 孙浩 齐鸣 徐安怀 艾立鹍 朱福英 |
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| 作者单位： | 1. 中国科学院上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海,200050;中国科学院研究生院,北京,100049
2. 中国科学院上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海,200050 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划)，国家自然科学基金 |
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| 摘 要： | 以四溴化碳(CBr4)作为碳掺杂源,采用气态源分子束外延(GSMBE)技术生长了InP衬底上晶格匹配的重碳掺杂p型GaAsSb材料.通过改变CBr4压力,研究了掺杂浓度在(1～20)×1019cm-3范围内的掺杂特性,得到的最大掺杂浓度为2.025×1020cm-3,相应的空穴迁移率为20.4cm2/(V·s).研究了不同生长温度对掺碳GaAsSb外延层组分、晶格质量和表面粗糙度的影响,结果表明480℃是生长优良晶格质量的最优温度.
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| 关 键 词： | 异质结双极晶体管 InP GaAsSb 碳掺杂 气态源分子束外延 |
Heavily Carbon-Doped p-Type GaAsSb Grown by Gas Source Molecular Beam Epitaxy |
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| Sun Hao,Qi Ming,Xu Anhuai,Ai Likun,Zhu Fuying.Heavily Carbon-Doped p-Type GaAsSb Grown by Gas Source Molecular Beam Epitaxy[J].Chinese Journal of Semiconductors,2007,28(11). |
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| Authors: | Sun Hao Qi Ming Xu Anhuai Ai Likun Zhu Fuying |
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