| Cu(In,Ga)Se2太阳电池缓冲层ZnS薄膜性质及应用 |
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| 引用本文： | 刘琪,冒国兵,敖建平.Cu(In,Ga)Se2太阳电池缓冲层ZnS薄膜性质及应用[J].半导体学报,2007,28(5). |
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| 作者姓名： | 刘琪 冒国兵 敖建平 |
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| 作者单位： | 1. 安徽工程科技学院机械工程系,芜湖,241000
2. 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,天津,300071 |
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| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863计划)，安徽省高校青年教师科研项目，安徽省教育厅自然科学基金 |
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| 摘 要： | 在含有ZnSO4,SC(NH2)2,NH4OH的水溶液中采用CBD法沉积ZnS薄膜,XRF和热处理前后的XRD测试表明,ZnS沉积薄膜为立方相结构,薄膜含有非晶态的Zn(OH)2.光学透射谱测试表明,制备的薄膜透过率(λ＞500nm)约为90%,薄膜的禁带宽度约为3.51eV.ZnS薄膜沉积时间对Cu(In,Ga)Se2太阳电池影响显著,当薄膜沉积时间在25～35min时,电池的综合性能最好.对比了不同缓冲层的电池性能,采用CBD-CdS为缓冲层的电池转换效率、填充因子、开路电压稍高于CBD-ZnS为缓冲层的无镉电池,但无镉电池的短路电流密度高于前者,两者转换效率相差2%左右.ZnS可以作为CIGS电池的缓冲层,替代CdS,实现电池的无镉化.
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| 关 键 词： | 化学水浴沉积 ZnS薄膜 CIGS太阳电池 |
Properties and Applications of ZnS Buffer Layers for Cu(In,Ga)Se2 Thin Film Solar Cells |
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| Liu Qi,Mao Guobing,Ao Jianping.Properties and Applications of ZnS Buffer Layers for Cu(In,Ga)Se2 Thin Film Solar Cells[J].Chinese Journal of Semiconductors,2007,28(5). |
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| Authors: | Liu Qi Mao Guobing Ao Jianping |
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| Keywords: | |
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