| 应用于C-X-Ku波段的宽带功率放大器 |
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| 引用本文： | 张书敬,杨瑞霞,张玉清,高学邦,杨克武.应用于C-X-Ku波段的宽带功率放大器[J].半导体学报,2007,28(6). |
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| 作者姓名： | 张书敬 杨瑞霞 张玉清 高学邦 杨克武 |
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| 作者单位： | 1. 河北工业大学信息工程学院,天津,300130
2. 中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄,050051 |
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| 基金项目： | 河北省自然科学基金，天津市自然科学基金 |
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| 摘 要： | 采用0.25μm AlGaAs/InGaAs/GaAs PHEMT工艺技术,研制出了6～18GHz三级MMIC全匹配宽带功率放大器单片.在6～18GHz的工作频率下,放大器的平均功率增益为19dB,输出功率大于33.3dBm,在10GHz处有最大输出功率34.7dBm,输入回波损耗S11低于-10dB,输出回波损耗S22低于-6dB.与报道的C-X-Ku频段宽带功率放大器相比,有较好的功率平坦度.
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| 关 键 词： | 砷化镓 赝配高电子迁移率晶体管 微波单片集成电路 功率放大器 C-X-Ku波段 |
Broadband MMIC Power Amplifier for C-X-Ku-Band Applications |
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| Zhang Shujing,Yang Ruixia,Zhang Yuqing,Gao Xuebang,Yang Kewu.Broadband MMIC Power Amplifier for C-X-Ku-Band Applications[J].Chinese Journal of Semiconductors,2007,28(6). |
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| Authors: | Zhang Shujing Yang Ruixia Zhang Yuqing Gao Xuebang Yang Kewu |
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| Abstract: | A three-stage MMIC power amplifier operating from 6 to 18GHz is fabricated using 0.25μm AlGaAs/InGaAs/GaAs pseudomorphic high electron mobility transistor (PHEMT).The amplifier is fully monolithic,with all matching,biasing,and DC block circuitry included on the chip.The power amplifier has an average power gain of 19dB over 6～18GHz.At operation frequencies from 6 to 18GHz,the output power is above 33.3dBm,and the maximum output power of the MMIC is 34.7dBm at 10GHz.The input return loss is less than -10dB and the output return is less than -6dB over operating frequency.This power amplifier has,to our knowledge,the best power gain flatness reported at C-X-Ku-band applications. |
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| Keywords: | GaAs PHEMT MMIC power amplifier C-X-Ku broadband |
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