| PLD法合成MgxZn1-xO纳米柱阵列 |
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| 引用本文： | 顾修全,朱丽萍,叶志镇,何海平,张银珠,赵炳辉.PLD法合成MgxZn1-xO纳米柱阵列[J].半导体学报,2007,28(Z1). |
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| 作者姓名： | 顾修全 朱丽萍 叶志镇 何海平 张银珠 赵炳辉 |
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| 作者单位： | 浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027 |
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| 摘 要： | 使用脉冲激光沉积法(PLD)在Si(100)衬底上无催化生长出了MgxZn1-xO纳米柱阵列.扫描电镜结果发现:在较大的范围内,直径为30～50nm、长度约为60nm均匀分布的纳米柱阵列生长在一层厚度约为70nm的纳米晶薄膜上.XRD结果中的(002)峰和PL谱中的带边发射峰相对于纯ZnO薄膜都发生了不同程度的偏移,表明了Mg组分的掺入改变了ZnO的晶格常数和带隙宽度.分析了MgxZn1-xO纳米柱的生长机制.
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| 关 键 词： | PLD ZnO 能带工程 纳米材料 |
MgxZn1-xO Nanorod Arrays Synthesized by Pulsed-Laser Deposition |
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| Gu Xiuquan,Zhu Liping,Ye Zhizhen,He Haiping,Zhang Yinzhu,Zhao Binghui.MgxZn1-xO Nanorod Arrays Synthesized by Pulsed-Laser Deposition[J].Chinese Journal of Semiconductors,2007,28(Z1). |
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| Authors: | Gu Xiuquan Zhu Liping Ye Zhizhen He Haiping Zhang Yinzhu Zhao Binghui |
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