| 生长温度对RF-MBE外延InAlGaN的影响 |
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| 引用本文： | 王保柱,王晓亮,王晓燕,王新华,郭伦春,肖红领,王翠梅,冉军学,王军喜,刘宏新,李晋闽. 生长温度对RF-MBE外延InAlGaN的影响[J]. 半导体学报, 2007, 28(Z1) |
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| 作者姓名： | 王保柱 王晓亮 王晓燕 王新华 郭伦春 肖红领 王翠梅 冉军学 王军喜 刘宏新 李晋闽 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所,北京,100083 |
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| 基金项目： | 中国科学院知识创新工程项目，国家自然科学基金，国家重点基础研究发展计划(973计划) |
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| 摘 要： | 利用射频等离子体辅助分子束外延(RF-MBE)技术在蓝宝石衬底上外延了铟铝镓氮(InAlGaN)薄膜,研究了生长温度对RF-MBE外延InAlGaN薄膜的影响.X射线衍射测量结果表明,不同生长温度下外延生长的InAl-GaN薄膜均为单一晶向.卢瑟福背散射(RBS)测量结果表明,随着生长温度的提高,InAlGaN外延层中In的组分单调降低,Al和Ga的组分都有所增加.扫描电镜(SEM)的测试结果表明,在较高温度下(600和590℃)生长的In-AlGaN存在裂纹,580℃生长的四元合金表面比较平整,在570℃温度下生长的InAlGaN表面存在很多颗粒状突起.
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| 关 键 词： | RF-MBE 铟铝镓氮 XRD RBS SEM |
Effects of Growth Temperature on the InAlGaN Epilayer by RF-MBE |
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| Wang Baozhu,Wang Xiaoliang,Wang Xiaoyan,Wang Xinhua,Guo Lunchun,Xiao Hongling,Wang Cuimei,Ran Junxue,Wang Junxi,Liu Hongxin,Li Jinmin. Effects of Growth Temperature on the InAlGaN Epilayer by RF-MBE[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2007, 28(Z1) |
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| Authors: | Wang Baozhu Wang Xiaoliang Wang Xiaoyan Wang Xinhua Guo Lunchun Xiao Hongling Wang Cuimei Ran Junxue Wang Junxi Liu Hongxin Li Jinmin |
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