| 掺Sn的In2O3透明导电膜生长优先取向对其光电性能的影响 |
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| 引用本文： | 陈瑶,周玉琴,张群芳,朱美芳,刘丰珍,刘金龙,陈诺夫.掺Sn的In2O3透明导电膜生长优先取向对其光电性能的影响[J].半导体学报,2007,28(6). |
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| 作者姓名： | 陈瑶 周玉琴 张群芳 朱美芳 刘丰珍 刘金龙 陈诺夫 |
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| 作者单位： | 1. 中国科学院研究生院,物理科学学院,北京,100049
2. 中国科学院半导体研究所,半导体材料科学重点实验室,北京,100083 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划)，国家自然科学基金 |
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| 摘 要： | 采用反应热蒸发法制备掺Sn的In2O3(ITO)透明导电膜,系统研究了ITO薄膜生长的优先取向对其光电性能的影响.结果表明,ITO薄膜(400)取向的优先生长对其透过率影响很小,但可明显增加载流子迁移率,从而有效降低了薄膜的方块电阻.在两个相同的薄膜硅/单晶硅太阳能电池上分别沉积(222)和(400)ITO优先取向膜,光电转换效率分别为10.3%和12.9%,表明(400)取向更有利于提高电池效率.经优化,最佳衬底温度(Ts)为225℃,最佳氧流量(fO2)为4sccm.在优化的沉积条件下制备ITO薄膜,其电阻率可达到4.8×10-4Ω·cm,可见波段的透过率大于90%,性能指数为3.8×10-2□/Ω.
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| 关 键 词： | ITO薄膜 反应热蒸发 优先取向 性能指数 |
Effect of Growth-Preferred Orientation on the Photoelectric Properties of ITO Thin Film |
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| Chen Yao,Zhou Yuqin,Zhang Qunfang,Zhu Meifang,Liu Fengzhen,Liu Jinlong,Chen Nuofu.Effect of Growth-Preferred Orientation on the Photoelectric Properties of ITO Thin Film[J].Chinese Journal of Semiconductors,2007,28(6). |
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| Authors: | Chen Yao Zhou Yuqin Zhang Qunfang Zhu Meifang Liu Fengzhen Liu Jinlong Chen Nuofu |
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