| 不同偏置下全耗尽SOI NMOSFET总剂量抗辐射的研究 |
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| 引用本文： | 王宁娟,刘忠立,李宁,于芳,李国花.不同偏置下全耗尽SOI NMOSFET总剂量抗辐射的研究[J].半导体学报,2007,28(5). |
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| 作者姓名： | 王宁娟 刘忠立 李宁 于芳 李国花 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所,传感器国家重点实验室,北京,100083 |
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| 摘 要： | 研究了不同偏置条件下,全耗尽SOI NMOSFET的总剂量抗辐射特性,主要讨论不同偏置条件对器件中陷获电荷的产生和分布,以及由此对器件性能产生的影响.通过器件模拟发现,在辐射过程中器件的偏置条件不同,造成器件的有源区和埋氧层中电场的分布有着很大的差异.而俘获电荷的产生与电场又有着紧密的联系,所以造成了俘获电荷的分布和密度有很大的不同,从而对器件的影响也不同.模拟结果表明,在三种不同的偏置条件下,OFF态(关态)时背沟道附近陷获电荷密度最高,以常数电流法估算出的阈值电压负漂移最大,同时引起了最大的本底静态漏电流.
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| 关 键 词： | SOI 全耗尽 总剂量辐射 器件模拟 |
Total Dose Irradiation of FD SOI NMOSFET Under Different Bias Configurations |
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| Wang Ningjuan,Liu Zhongli,Li Ning,Yu Fang,Li Guohua.Total Dose Irradiation of FD SOI NMOSFET Under Different Bias Configurations[J].Chinese Journal of Semiconductors,2007,28(5). |
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| Authors: | Wang Ningjuan Liu Zhongli Li Ning Yu Fang Li Guohua |
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