| 插入δAl/AlN缓冲层在Si(111)上生长GaN |
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| 引用本文： | 郭伦春,王晓亮,胡国新,李建平,罗卫军.插入δAl/AlN缓冲层在Si(111)上生长GaN[J].半导体学报,2007,28(Z1). |
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| 作者姓名： | 郭伦春 王晓亮 胡国新 李建平 罗卫军 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所,材料科学中心,北京,100083 |
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| 摘 要： | 采用MOCVD(metal organic chemical vapor deposition)生长方法,对比在AlN层上加入δAl/AlN缓冲层和不加入δAl/AlN缓冲层两种生长结构,在Si(111)衬底上生长GaN.实验结果表明,在加入δAl/AlN缓冲层后,GaN外延层的裂纹密度得到了有效的降低,晶体质量也得到了明显的提高.通过MOCVD生长方法,利用光学显微镜、XRD和Raman等分析测试手段,研究了δAl/AlN缓冲层对GaN外延层的影响,获得了裂纹密度小、晶体质量高的GaN材料.
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| 关 键 词： | GaN MOCVD AlN 缓冲层 |
Growth of GaN on Si(111)by Inserting δAl/AlN Buffer Layer |
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| Guo Lunchun,Wang Xiaoliang,Hu Guoxin,Li Jianping,Luo Weijun.Growth of GaN on Si(111)by Inserting δAl/AlN Buffer Layer[J].Chinese Journal of Semiconductors,2007,28(Z1). |
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| Authors: | Guo Lunchun Wang Xiaoliang Hu Guoxin Li Jianping Luo Weijun |
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