| 氧氩流量比对Al掺杂ZnO薄膜光电性能的影响 |
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| 引用本文： | 于芬,闫金良,马秋明. 氧氩流量比对Al掺杂ZnO薄膜光电性能的影响[J]. 半导体学报, 2007, 28(Z1) |
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| 作者姓名： | 于芬 闫金良 马秋明 |
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| 作者单位： | 鲁东大学物理与电子工程学院,烟台,264025 |
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| 基金项目： | 鲁东大学校科研和教改项目 |
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| 摘 要： | 为了研究氧气对Al掺杂ZnO薄膜性能的影响,用射频反应磁控溅射方法制备了氧化锌掺铝(ZAO)薄膜,靶材为锌铝合金靶,并研究了薄膜的透光率跟氧氩流量比的关系以及同一氧氩流量比下薄膜光学性能随温度变化的规律.实验结果表明,200℃下氧氩流量比为1:35时有最佳的透光率.250℃下氧氩流量比为1:30时有最佳的透光率;300℃下氧氩流量比为1:15时有最佳的透光率.同一氧氩流量比1:25时,200℃下制备的ZAO薄膜有最佳的透光性.温度更高或者更低都导致薄膜的透光性能变差.
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| 关 键 词： | Al掺杂ZnO薄膜 氧氩流量比 射频反应溅射 透光率 |
Influence of O2/Ar Ratio on Optical Properties of ZAO Films |
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| Yu Fen,Yan Jinliang,Ma Qiuming. Influence of O2/Ar Ratio on Optical Properties of ZAO Films[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2007, 28(Z1) |
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| Authors: | Yu Fen Yan Jinliang Ma Qiuming |
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