| 900℃空气退火对L-MBE生长的ZnO薄膜发光特性的影响 |
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| 引用本文： | 王东,张景文,韩峰,张新安,毕臻,边旭明,侯洵.900℃空气退火对L-MBE生长的ZnO薄膜发光特性的影响[J].半导体学报,2007,28(Z1). |
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| 作者姓名： | 王东 张景文 韩峰 张新安 毕臻 边旭明 侯洵 |
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| 作者单位： | 1. 西安交通大学陕西省信息光子技术重点实验室,西安,710049
2. 西安交通大学陕西省信息光子技术重点实验室,西安,710049;河南大学物理与信息光电子学院,开封,475001 |
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| 基金项目： | 教育部高等学校博士学科点专项科研基金，河南省高校杰出科研创新人才工程项目 |
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| 摘 要： | 采用激光分子束外延法在蓝宝石衬底(0001)上生长了高度c轴择优取向的高质量ZnO薄膜,在空气中对生长的薄膜进行900℃退火处理,并对退火前后样品的结晶质量、发光特性采用X射线衍射(XRD)、变温光致发光(PL)研究.退火处理后的ZnO薄膜(0002)面XRDθ-2θ扫描曲线强度明显增强.在光致发光实验中,观测到薄膜分别在3.352,3.309和3.237eV附近有3个明显的近紫外发光峰,分别对应自由激子发射、中性施主或受主束缚激子I9及其声子伴线1Lo.随着温度升高,峰位逐渐向长波方向移动(即所谓"红移"),半高宽(FWHM)逐渐展宽;在发光谱中,来自于晶体缺陷的深能级(DL)区发光强度极小.
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| 关 键 词： | 激光分子束外延 ZnO 退火 光致发光 激子 |
Effect of 900℃ Air Annealing on Luminescence Properties of ZnO Thin Film by L-MBE |
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| Wang Dong,Zhang Jingwen,Han Feng,Zhang Xin'an,Bi Zhen,Bian Xuming,Hou Xun.Effect of 900℃ Air Annealing on Luminescence Properties of ZnO Thin Film by L-MBE[J].Chinese Journal of Semiconductors,2007,28(Z1). |
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| Authors: | Wang Dong Zhang Jingwen Han Feng Zhang Xin'an Bi Zhen Bian Xuming Hou Xun |
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