| 用PLD方法制备Li掺杂的p型ZnMgO |
| |
| 引用本文： | 仇明侠,叶志镇,顾修全,何海平,朱丽萍. 用PLD方法制备Li掺杂的p型ZnMgO[J]. 半导体学报, 2007, 28(Z1) |
| |
| 作者姓名： | 仇明侠 叶志镇 顾修全 何海平 朱丽萍 |
| |
| 作者单位： | 浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027 |
| |
| 摘 要： | 在玻璃衬底上用PLD方法成功制备出具有高度(0002)取向性的、晶体质量较好的Li掺杂为0.4%的p型 Zn0.8Mg0.2O薄膜.衬底温度对薄膜的电学性能及结晶质量有重要影响,实验表明:在500℃时薄膜的电学性能最好,其载流子浓度为5.1×1018cm-3,电阻率为6.58Ω·cm,霍尔迁移率为0.189cm2/(V·s),且制备出的薄膜在可见光区具有90%的高透射率及在室温下光学禁带宽度3.625eV.
|
| 关 键 词： | Li掺杂 PLD方法 p型ZnMgO |
PLD Growth of p-Type ZnMgO Films with Li-Doped |
| |
| Qiu Mingxia,Ye Zhizhen,Gu Xiuquan,He Haiping,Zhu Liping. PLD Growth of p-Type ZnMgO Films with Li-Doped[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2007, 28(Z1) |
| |
| Authors: | Qiu Mingxia Ye Zhizhen Gu Xiuquan He Haiping Zhu Liping |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ |
|
