| 铌酸锂CMP速率的影响因素分析 |
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| 引用本文： | 檀柏梅,牛新环,韩丽丽,刘玉岭,崔春翔.铌酸锂CMP速率的影响因素分析[J].半导体学报,2007,28(Z1). |
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| 作者姓名： | 檀柏梅 牛新环 韩丽丽 刘玉岭 崔春翔 |
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| 作者单位： | 河北工业大学,天津,300130 |
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| 摘 要： | 对铌酸锂晶片平整化加工的CMP机理进行了分析,加速质量传输是CMP获得完美表面的关键,化学反应是CMP过程的控制因素,增强化学反应可提高CMP速率.通过对不同抛光液的pH值、磨料浓度及抛光压力、流量等的实验研究,分析讨论了各因素对CMP速率的影响机制,并得出优化的CMP方案.
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| 关 键 词： | 铌酸锂 CMP 去除速率 抛光液 |
Analysis of Factors Affecting CMP Removal Rate of Lithium Niobate |
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| Tan Baimei,Niu Xinhuan,Han Lili,Liu Yuling,Cui Chunxiang.Analysis of Factors Affecting CMP Removal Rate of Lithium Niobate[J].Chinese Journal of Semiconductors,2007,28(Z1). |
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| Authors: | Tan Baimei Niu Xinhuan Han Lili Liu Yuling Cui Chunxiang |
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