| 竖直式HVPE反应系统的理论模拟与GaN厚膜生长 |
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| 引用本文： | 马平,段垚,魏同波,段瑞飞,王军喜,曾一平,李晋闽.竖直式HVPE反应系统的理论模拟与GaN厚膜生长[J].半导体学报,2007,28(Z1). |
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| 作者姓名： | 马平 段垚 魏同波 段瑞飞 王军喜 曾一平 李晋闽 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所,北京,100083 |
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| 摘 要： | 根据流体动力学模型,研究了反应气体在反应室内的浓度分布,以及反应室的温场分布.NH3浓度在衬底附近分布均匀,而GaCl浓度在衬底中心区域较大,周边较小.实验结果表明,外延层在中心区生长速率为260μm/h,周边为140/μm/h.X射线摇摆曲线半高宽为141".O杂质的引入,使得样品具有较强的黄光发射.
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| 关 键 词： | 氢化物气相外延 理论模拟 GaN |
Theoretical Simulation of Vertical HVPE Reactor and GaN Thick Film Growth |
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| Ma Ping,Duan Yao,Wei Tongbo,Duan Ruifei,Wang Junxi,Zeng Yiping,Li Jinmin.Theoretical Simulation of Vertical HVPE Reactor and GaN Thick Film Growth[J].Chinese Journal of Semiconductors,2007,28(Z1). |
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| Authors: | Ma Ping Duan Yao Wei Tongbo Duan Ruifei Wang Junxi Zeng Yiping Li Jinmin |
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