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薄膜厚度对YBCO超导薄膜微结构及临界电流密度的影响
引用本文:邹春梅,左长明,路胜博,催旭梅,姬洪. 薄膜厚度对YBCO超导薄膜微结构及临界电流密度的影响[J]. 功能材料与器件学报, 2007, 13(4): 301-305
作者姓名:邹春梅  左长明  路胜博  催旭梅  姬洪
作者单位:电子科技大学,微电子与固体电子学院,电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都,610054
基金项目:感谢国家重点实验室在仪器使用和实验经费的支持,感谢在实验进行当中给予帮助的老师和同学.
摘    要:用MOD方法在LAO基片上沉积不同厚度的YBCO薄膜.用X射线衍射仪对这一系列样品进行表征分析,研究随着薄膜厚度的增加微结构的变化及临界电流密度的变化.X射线衍射分析发现YBCO薄膜取向度随薄膜厚度的增加,在800nm时取得最佳值之后又随厚度增加由强变弱.晶格常数c随着膜厚的增加而增大.本研究对这一系列样品进行了φ扫描分析和摇摆曲线半高宽的计算,并对800nm的YBCO薄膜做了倒易空间图谱分析,实验结果发现800nm的YBCO薄膜晶化比较好.本研究还分析了薄膜厚度对YBCO薄膜临界电流密度的影响.

关 键 词:YBCO薄膜  微结构  晶格常数C  φ扫描  倒易空间  临界电流密度  摇摆曲线
文章编号:1007-4252(2007)04-0301-05
修稿时间:2006-06-19

Effect of the thickness of YBCO film on microstructure and critical current density
ZOU Chun-mei,ZUO Chang-ming,LU Sheng-bo,CUI Xu-mei,JI Hong. Effect of the thickness of YBCO film on microstructure and critical current density[J]. Journal of Functional Materials and Devices, 2007, 13(4): 301-305
Authors:ZOU Chun-mei  ZUO Chang-ming  LU Sheng-bo  CUI Xu-mei  JI Hong
Affiliation:University of Electronic Science and Technology of China, Key Laboratory of Electronic Thin Films and ntegrated Devices of China, Chengdu 610054, China
Abstract:
Keywords:
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