降低非自对准LDMOS功率管RDSon离散性的途径

LDMOS功率管工作在线性区时，RDSon取决于沟道区及漂移区的图形尺寸与掺杂浓度。非自对准LDMOS功率管漂移区的一端与栅极没有自对准关系，因此一些工艺偏差(诸如光刻CD、重叠、刻蚀CD等)均可影响器件的沟道长度。Motoro1a公司在SMOS7LV^TM工艺开发过程中，曾发现非自对准LDMOS功率管RDSon离散比规范值大8％(1σ）。有关RDSon的离散的分析表明，主要是因重叠性不良而引起。优化对准方案之后，RDSon离散可由原先的-12％降至＜3％。